【摘 要】
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用固相反应法制备了二元掺杂系列La2/3(CaxBa1-x)1/3MnO3(x=0,0.40,0.45,0.55,0.60,1.0)多晶材料;在77 K~420 K范围内测量了样品的电阻和磁电阻.结果表明,所制备的系列样品电
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用固相反应法制备了二元掺杂系列La2/3(CaxBa1-x)1/3MnO3(x=0,0.40,0.45,0.55,0.60,1.0)多晶材料;在77 K~420 K范围内测量了样品的电阻和磁电阻.结果表明,所制备的系列样品电阻率与温度的关系具有明显的双电阻峰结构;在T=77 K~350 K范围内,样品均有相似的磁电阻行为:在低温区(T<Tc,,Tc为居里温度),磁电阻(MR)随T的下降几乎线性增加,在此区域采用用自旋极化电子隧道效应和局域化模型较好地解释了电阻和磁电阻行为.在较低温度(77 K~100 K
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