【摘 要】
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本文描述了采用JS-450D型射频溅射设备,在GaAs衬底上获得了AIN薄膜。对这种膜在H_2、N_2中不同温度下退火实验,分析了热处理对膜绝缘特性、腐蚀特性和光学特性的影响。利用AI
【机 构】
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中国科学院半导体所,中国科学院半导体所
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本文描述了采用JS-450D型射频溅射设备,在GaAs衬底上获得了AIN薄膜。对这种膜在H_2、N_2中不同温度下退火实验,分析了热处理对膜绝缘特性、腐蚀特性和光学特性的影响。利用AIN膜来保护光电器件、提高激光器和发光管的功率、降低激光器的阈值电流等作了工艺探讨。实验发现:利用端面镀膜技术,在LED前端面溅上一层AIN(厚为λ/4n,λ为LED发光波长,n是AIN膜的折射率)后,其P-I曲线明显地变化,发光管的功率平均提高了69％(I=100mA)。
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