【摘 要】
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美国贝尔通信研究所，用发光二极管和单模光纤，将560 Mbit/sec的信号传输25.3 km。发光二极管的发光中心波长为1.283 μm，谱线半宽度为11.5 nm。半导体激光器前面涂膜，膜层反射率小于0.5%,从而成为超辐射发光二极管。光纤内输入功率为-24 dBm。传输速度为140 Mbit/sec时，可传 输50.1 km。也作了用面发光型和端面发光型发光二极管的传输实验。
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美国贝尔通信研究所，用发光二极管和单模光纤，将560 Mbit/sec的信号传输25.3 km。发光二极管的发光中心波长为1.283 μm，谱线半宽度为11.5 nm。半导体激光器前面涂膜，膜层反射率小于0.5%,从而成为超辐射发光二极管。光纤内输入功率为-24 dBm。传输速度为140 Mbit/sec时，可传 输50.1 km。也作了用面发光型和端面发光型发光二极管的传输实验。
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