【摘 要】
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为了研究临界应变再结晶法单晶制备技术,对具有不同初始晶粒尺寸的纯铝与Al-1.8at％Ga合金在小变形条件下的再结晶行为开展了实验.结果 表明,粗大纯铝晶粒可通过临界应变再结晶法制备,其临界应变量随再结晶退火温度的升高而降低.镓元素添加后提高了铝的晶界迁移速率,使得A1-1.8at％Ga合金的再结晶临界应变量小于纯铝.纯铝再结晶临界应变量随初始晶粒尺寸的减小而降低,粗大初始组织更适于临界应变再结晶法单晶制备.
【机 构】
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中国工程物理研究院表面物理和化学重点实验室,四川绵阳621900
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为了研究临界应变再结晶法单晶制备技术,对具有不同初始晶粒尺寸的纯铝与Al-1.8at％Ga合金在小变形条件下的再结晶行为开展了实验.结果 表明,粗大纯铝晶粒可通过临界应变再结晶法制备,其临界应变量随再结晶退火温度的升高而降低.镓元素添加后提高了铝的晶界迁移速率,使得A1-1.8at％Ga合金的再结晶临界应变量小于纯铝.纯铝再结晶临界应变量随初始晶粒尺寸的减小而降低,粗大初始组织更适于临界应变再结晶法单晶制备.
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