808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制

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通过对影响GaAs/AlGaAs激光器波长的各种因素的分析讨论与实验研究,制备了性能优良的808umGaAs/AlGaAs大功率激光器材料.应用此材料制作的激光器的结果表明,器件室温连续输出功率1W时,激射波长仍可保持在808nm附近,器件的室温连续输出功率已达2.3W. By analyzing and experimentally studying various factors that affect the wavelength of GaAs / AlGaAs lasers, high performance 808um GaAs / AlGaAs high power laser materials were prepared. The laser produced by using this material shows that the lasing wavelength can be maintained around 808nm at a continuous output power of 1W at room temperature and the continuous output power of the device reaches 2.3W at room temperature.
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