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采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP／GaAs双异质结材料，研制成具有负阻特性的异质结晶体管．在恒压恒流条件下均观察到了负阻特性并对其物理机制进行了讨论．推导出集电极电流IC与VCE的关系表达式，讨论了负阻与器件结构和参数的关系．使用PSPICE模拟软件建立电路网表模型，代入推导出的IC-VCE公式进行模拟，模拟结果与器件的测量结果十分接近.