【摘 要】
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本工作利用近红外光谱法和低温测量技术对非掺杂和掺 CrSI-Ga As 中 El2能级和 Cr 杂质吸收带进行了详细对比研究。观察了它们各自的温度、光照特性。特别是对 EL2深能级内部
【机 构】
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天津电子材料研究所,天津电子材料研究所,天津电子材料研究所,天津电子材料研究所,天津电子材料研究所
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本工作利用近红外光谱法和低温测量技术对非掺杂和掺 CrSI-Ga As 中 El2能级和 Cr 杂质吸收带进行了详细对比研究。观察了它们各自的温度、光照特性。特别是对 EL2深能级内部结构研究取得满意结果,在国内首次观察到 El2深能级的低温光淬灭效应,成功地获得了 El2能级的的精细结构,深入研究了 El2能级的理论模型。
In this work, near-infrared spectroscopy and cryogenic measurement techniques were used to investigate the El 2 level and Cr impurity absorption bands in undoped and doped CrSI-GaAs. Observed their respective temperature, light characteristics. In particular, satisfactory results have been obtained for the study of the internal structure of the EL2 deep-level structure. For the first time, the low-temperature photodissociation of the El2 deep level has been observed. The fine structure of the El2 level has been successfully obtained. The theory of El2 level model.
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