【摘 要】
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给出了 Y分支 MZI热光调制器的模型 ,实验研制了基于 SOI( silicon- on- insulator)的 MZI热光调制器 ,调制器的消光比为 - 16.5 d B,开关的上升时间为 10 μs,下降时间为 2
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,
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给出了 Y分支 MZI热光调制器的模型 ,实验研制了基于 SOI( silicon- on- insulator)的 MZI热光调制器 ,调制器的消光比为 - 16.5 d B,开关的上升时间为 10 μs,下降时间为 2 0 μs,相应的功耗为 0 .3 9W
The model of Y-branch MZI thermo-optic modulator is given. The MZI thermo-optic modulator based on SOI (silicon-on-insulator) is experimentally developed. The extinction ratio of the modulator is -16.5 dB and the rise time of the switch is 10 μs , The falling time is 20 μs, the corresponding power consumption is 0.33W
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