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研究了在制备多孔硅过程中影响其孔隙率的各种因素 ,给出了氢氟酸浓度、腐蚀时间、阳极腐蚀电流、温度及光照度与多孔硅孔隙率的关系 ,同时研究了多孔硅的晶格常数随其孔隙率变化的规律 ,并对以上各项结果作出了初步解释。更多还原
影响多孔硅孔隙率的因素
【摘 要】
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研究了在制备多孔硅过程中影响其孔隙率的各种因素 ,给出了氢氟酸浓度、腐蚀时间、阳极腐蚀电流、温度及光照度与多孔硅孔隙率的关系 ,同时研究了多孔硅的晶格常数随其孔隙率
【机 构】
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新疆大学物理系!新疆乌鲁木齐830046,新疆大学电子信息科学系!新疆乌鲁木齐830046,中国科学院新疆物理研究所!新疆乌鲁木齐830011
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2000年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金,新疆自然科学基金
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