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以Zn:Zr(Zr片贴在金属Zn靶上面)为溅射靶材,利用直流反应磁控溅射法在Ar/O_2混合气氛中制备Zr掺杂ZnO(ZnO:Zr)薄膜.在制备ZnO:Zr薄膜时,衬底偏压在0~60V之间变化.研究结果表明,衬底偏压对薄膜的结构、光学及电学性能有很大影响.当衬底偏压从0增大到60V时,薄膜的平均光学透过率和平均折射率都单调增大,而薄膜的晶粒尺寸先增大后减小.ZnO:Zr薄膜电阻率的变化规律与晶粒尺寸相反.