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在北京同步辐射源上建立了Ｘ光ＣＣＤ量子效率实验标定方法，获得了１５０ｅＶ～１５００ｅＶ能区范围多个Ｘ光能点的量子效率实验结果，发展了Ｘ光ＣＣＤ量子效率简化计算模型，并对Ｘ光ＣＣＤ表面油沾污对量子效率的影响进行了实验研究和修正。
X光CCD响应特性
【摘 要】
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在北京同步辐射源上建立了Ｘ光ＣＣＤ量子效率实验标定方法，获得了１５０ｅＶ～１５００ｅＶ能区范围多个Ｘ光能点的量子效率实验结果，发展了Ｘ光ＣＣＤ量子效率简化计算模型，并对Ｘ光ＣＣＤ表面油沾污对量子效率的影响进行了实验研
【机 构】
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中国工程物理研究院核物理与化学研究所,中国科学院北京高能物理研究所同步辐射实验室
【出 处】
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强激光与粒子束
【发表日期】
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2000年5期
【基金项目】
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国家863惯性约束聚变领域及高温高密度等离子体物理重点实验室资助课题!(99JS77.4.1zs770 2 )
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