【摘 要】
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以微米级的碳化硅粉和石墨粉为原料,采用氧化结合法制备出不同孔隙含量的、适合液态铝无压渗透的SiC预成形坯。研究SiC多孔陶瓷的低温烧结机理和石墨添加量对SiC陶瓷骨架烧结
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以微米级的碳化硅粉和石墨粉为原料,采用氧化结合法制备出不同孔隙含量的、适合液态铝无压渗透的SiC预成形坯。研究SiC多孔陶瓷的低温烧结机理和石墨添加量对SiC陶瓷骨架烧结密度和尺寸变化的影响。结果表明：在1 100℃烧结时,碳化硅和石墨粉同时发生氧化反应;SiC氧化产生的结晶态SiO2膜将SiC粉体粘结成陶瓷骨架,石墨氧化去除后形成孔隙;SiC粉体间本征孔隙和石墨去除后留下的孔隙构成三维互连通状态;因SiC氧化导致陶瓷骨架产生4%左右的线膨胀,但坯体不发生形状改变;通过调整石墨含量,能获得孔隙率从0.47
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