【摘 要】
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用化学沉积法制备硅薄膜时影响成膜质量和速度的因素非常复杂,主要包括气体浓度、流速、温度、压力等,通过研究掺杂气体浓度比例和温度对硅薄膜的成膜质量和成膜速度的影响可
【机 构】
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北京工业职业技术学院机电工程学院,国家电投集团科学技术研究院
【基金项目】
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2017年度北京市教育委员会科技计划一般项目(KM201710853003)
论文部分内容阅读
用化学沉积法制备硅薄膜时影响成膜质量和速度的因素非常复杂,主要包括气体浓度、流速、温度、压力等,通过研究掺杂气体浓度比例和温度对硅薄膜的成膜质量和成膜速度的影响可知,在一定范围内随着掺杂气体比例的增加成膜速度降低;在其他参数确定时,随着温度的升高,成膜速度提高,孔隙率先降低后增加,即硅薄膜质量先变好再变差。900℃沉积的硅薄膜相对光滑,有一定的致密度,硅薄膜质量较好。实验结果表明:较佳的实验参数为较低的掺杂气体,沉积温度设定在850℃~950℃成膜质量较好。
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