以淀粉为碳源碳热还原法合成多孔高比表面积β-SiC

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以淀粉为碳源,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,通过溶胶-凝胶法制备了碳化硅前驱体淀β-SiO2凝胶,将干凝胶在氩气氛中进行碳热还原制备碳化硅(SiC)。用XRD、IR、SEM、TEM及N2低温物理吸附等手段对合成的样品进行表征。结果表明,在淀粉-SiO2凝胶中添加镍催化剂在1450℃下就能合成出尺寸大小为40~60nm多孔高比表面积的纳米SiC,其孔径主要集中在4.2和10.6nm,比表面积为127.5m2/g,孔体积为0.43cm3/g。
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