氮化铝陶瓷覆铜基板的研制

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通过高温热氧化的方法,在AIN陶表面形成一薄层AI2O3作为过渡层,成功地将铜与AIN陶瓷键合在一起,研制出性能优越的AIN陶瓷覆铜基板。研究了AIN热氧化时间及温度对键合质量的影响,提出子较佳的儿得的键合力可达110N/cm,同时,运用扫描电镜(SEM0、电子能谱(EDX)对键合结构作了分析和研究。AIN衬底上的氧化物相对键合过程中上重要作用。
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