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高效 InP/InGaAs 异质接面双极的晶体管(HBT ) 广泛地在高速度的电子设备和 optoelectronic 集成电路被使用了。基于 InP 的 HBT 被低压力金属制作器官的化学蒸汽免职(MOCVD ) 和蚀刻的湿化学药品。亚收集者和收集者在 550 ℃在 655 ℃和另外的层被种。在 HBT 压制 Zn 外面散开,基础层与 16 分钟的生长打断被种。有 emitter 的制作 HBT 2.5 ×缩放 2 显示出的 20 μ m ~ 70 ~的当前的获得 90,故障电压(BV_(CE