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高效高亮度GaN基发光二极管（LED）在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广阔的应用前景，器件的可靠性是实现其广泛应用的保证。本文从封装材料退化、金属的电迁移、P型欧姆接触退化、深能绒与非辐射复合中心增加等方面介绍了GaN基LED的退化机理以及提高器件可靠性的措施，并对GaN基LED的应用前景进行了展望。