氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：KingGameKingT

【摘要】

：

氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通讯及智能电网等领域具有广阔的应用前景。目前市场上的氮化镓单晶衬底

【作者】

：

张育民王建峰蔡德敏徐俞王明月胡晓剑徐琳徐科

【机构】

：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州纳维科技股份有限公司

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2020年11期

【关键词】

：

氢化物气相外延生长氮化镓晶体生长掺杂光电性能缺陷 hydride vapor phase epitaxy GaN crystal growth dop

【基金项目】

：

国家重点研发计划(2017YFB0404101,2017YFB0403000),国家自然科学基金(61704187),中国科学院前沿科学重点研究计划项目(QYZDB-SSW-SLH042)

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氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通讯及智能电网等领域具有广阔的应用前景。目前市场上的氮化镓单晶衬底大部分都是通过氢化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy,HVPE)方法生长制备的,在市场需求的推动下,近年来HVPE生长技术获得了快速的发展。本论文综述了近年来HVPE方法生长GaN单晶衬底的主要进展,主要内容包含HVPE生长GaN材料的基本原理、GaN单晶中的掺杂与光电性能调控、GaN单晶中的缺陷及其演变规律

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