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采用中子活化法测量了232Th的裂变产物及其累积产额。利用加速器T（d,n）4He反应产生的14.9 Me V高注量中子长时间照射Th O2样品,用高纯锗γ谱仪测量其特征γ谱,求得较长半衰期核素99Mo、141Ce、143Ce、131I、140Ba等的裂变产额,实验结果的典型误差为4%。其中,利用MCNP程序对中子的多次散射效应和自屏蔽效应进行修正,同时考虑了中子注量波动及γ射线在样品中的自吸收影响。