【摘 要】
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介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的制作工艺。通过控制不同敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器。
Introduced the latest design
【机 构】
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湖南工程学院数理系 湖南湘潭 411100
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介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的制作工艺。通过控制不同敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器。
Introduced the latest design of double E-type silicon sensor chip production process. By controlling the thickness of the elastic film of different sensitive silicon chips, double E-type sensitive silicon chips and acceleration sensors with different ranges can be obtained.
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