【摘 要】
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以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,NH3为共沉淀剂,在表面活性剂存在下,采用室温固相法制备锑掺杂二氧化锡（ATO）纳米粉体。探讨了掺锑量、表面活性剂对ATO粉体性能的影响。运用IR
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以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,NH3为共沉淀剂,在表面活性剂存在下,采用室温固相法制备锑掺杂二氧化锡（ATO）纳米粉体。探讨了掺锑量、表面活性剂对ATO粉体性能的影响。运用IR、XRD、TEM、比表面仪（BET）等对ATO粉体进行了表征。结果表明,当锑掺杂量为12.3%时,ATO纳米粉体具有最小电阻率,为3.36Ω·cm,ATO粉体为四方晶红石结构,颗粒形状为近似球形,粒度均匀,一次粒径为10 nm左右。
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