10GHz硅双极振荡晶体管研究

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采用全离子注入、全干法腐蚀技术研制出了10GHz下振荡输出10mW的硅双极晶体管。较好的器件在10GHz下,振荡输出20mW。由S参数测量外推得到的f_T和f_(max)分别为19和13GHz。
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