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由铝在１５Ａ％硫酸介质中进行电化学氧化而得到的多孔Ａ１２Ｏ３是制备有序纳米线阵列的一种好的样模材料。在该样模中电沉积的有序Ｎi纳米线阵列排布规则、有序。磁滞回线 测量表明长径比为４００的Ｎi纳米线阵列在垂直于Ａ１２Ｏ３表面方向（即平行于Ｎi 纳米线方向）的矫顽力为８３１Ｏe，矩形度达０．９１，具有显著的磁单轴各向异性和磁单 轴各向异性和磁单畴特性。