【摘 要】
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研究了不同沉积电位对电化学生长半导体热电材料Bi2Te3膜沉积过程、膜形貌、结晶性及相结构的影响。利用I-V循环扫描曲线分别研究了纯Bi^3＋、纯Te^4＋及其两种离子的混合溶液电
【机 构】
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中山大学光电材料与技术国家重点实验室∥纳米技术研究中心∥物理科学与工程技术学院,广州杰赛科技股份有限公司技术中心
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研究了不同沉积电位对电化学生长半导体热电材料Bi2Te3膜沉积过程、膜形貌、结晶性及相结构的影响。利用I-V循环扫描曲线分别研究了纯Bi^3＋、纯Te^4＋及其两种离子的混合溶液电化学特性;应用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、电子能谱（EDS）对膜的微观表面形貌、相结构及成分进行了表征。研究表明：生长的样品为斜方六面体（rhombohedral）晶体结构的Bi2Te3,薄膜表面平整致密,为明显的柱状晶结构,具有（110）择优取向;沉积电位越接近还原峰最大电流处,膜的生长电荷效率越高,薄膜结
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