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采用射频磁控溅射在石英玻璃基底上反应溅射制备单斜相（M相） VO2薄膜。利用V-VASE和IR-VASE椭圆偏振仪及变温附件分别在0。5—3。5 eV （350—2500 nm）和0。083—0。87 eV （1400—15000 nm）入射光能量范围内对相变前后的VO2薄膜进行光谱测试，运用逐点拟合的方式，并通过薄膜的吸收峰的特征，在0。5—3。5 eV范围内添加3个Lorentz谐振子色散模型和0。083—0。87 eV范围内添加4个Gaussion振子模型对低温态半导体态的薄膜椭偏参数进行拟合，再对