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用溶胶—凝胶法制备Sn02前驱液,然后用提拉法分别在单晶Si和A12O3基片表面制备出Sn02前驱膜,再用脉冲Nd:YAG激光烧结前驱膜使其转变为晶体Sn02薄膜.用XRD分析了单晶Si表面的Sn02薄膜,研究激光功率对Sn02薄膜相组成的影响.TEM观察表明,激光烧结后的薄膜Sn02颗粒均匀,直径约为10nm.用激光烧结法制备的Sn02薄膜对浓度为1.80×10^4丙酮的最高灵敏度为30-40,明显高于用传统烧结法制备的Sn02薄膜的灵敏度.激光烧结能降低薄膜具有最高灵敏度的工作温度.