【摘 要】
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用水热合成法在金属基板上制备了压电双晶片,该法简单,成本低。为了更好地研究双晶片的特性,利用扫描电镜（SEM）和X-射线衍射（XRD）技术,对PZT薄膜的特性进行了较为详细的研究。发
【机 构】
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大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,大连理工大学电信工程学院
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用水热合成法在金属基板上制备了压电双晶片,该法简单,成本低。为了更好地研究双晶片的特性,利用扫描电镜（SEM）和X-射线衍射（XRD）技术,对PZT薄膜的特性进行了较为详细的研究。发现PZT薄膜由平均尺寸约为5μm的PZT晶粒组成,其物相组成成分PbTiO3和PbZrO3的比值约为53/47,处在准同型相界附近。根据试验中测得数据,计算出了薄膜的平均密度;并建立了双晶片位移驱动模型,由该模型得到压电系数d31,并研究了双晶片的铁电性。
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