【摘 要】
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为实现氧化物TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,IGZOTFT)特性的最优化,采用I-V数据和SEM(Scanning Electron Microscope)图片研究蚀阻挡层(Etch-Stop Lay
【机 构】
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京东方科技集团股份有限公司合肥鑫晟工厂
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为实现氧化物TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,IGZOTFT)特性的最优化,采用I-V数据和SEM(Scanning Electron Microscope)图片研究蚀阻挡层(Etch-Stop Layer,ESL)沉积条件与氧化物TFT特性的关系。通过调整沉积温度、正负极板间距、压力和功率,分析了PECVD沉积ESLSiO2的成膜规律,并对所得到的TFT进行了特性分析。发现ESL膜层致密性过差时,后期高温工艺会造成水汽进入IGZO半导体
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