ZnSb掺杂的Ge2Sb2Te5薄膜的相变性能研究

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mj19830512

【摘要】

：

本文采用双靶（ZnSb靶和Ge2Sb2Te5靶）共溅射制备了系列ZnSb掺杂的Ge2Sb2Te5（GST）薄膜.利用X射线衍射、透射电子显微镜、原位等温/变温电阻测量、X射线光电子能谱等测试研究了薄膜

【作者】

：

田曼曼王国祥沈祥陈益敏徐铁峰戴世勋聂秋华

【机构】

：

宁波大学高等技术研究院,宁波大学信息科学与工程学院

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2015年17期

【关键词】

：

相变材料热稳定性结晶速度激光诱导 phase change material thermal stability crystallization spee

【基金项目】

：

国家自然科学基金（批准号：61377061,61306147）, 浙江省公益技术研究工业项目（批准号：2014C31146）, 浙江省中青年学科带头人学术攀登项目（批准号：pd2013092）, 宁波大学王宽诚幸福基金资助, 浙江省自然科学基金（批准号：LQ15F040002）资助的课题

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本文采用双靶（ZnSb靶和Ge2Sb2Te5靶）共溅射制备了系列ZnSb掺杂的Ge2Sb2Te5（GST）薄膜.利用X射线衍射、透射电子显微镜、原位等温/变温电阻测量、X射线光电子能谱等测试研究了薄膜样品的非晶形态、电学及原子成键特性.利用等温原位电阻测试表明ZnSb掺杂的Ge2Sb2Te5薄膜具有更高的结晶温度.采用Arrhenius公式计算发现ZnSb掺杂的Ge2Sb2Te5薄膜的十年数据保持温度均高于传统的Ge2Sb2Te5薄膜的88.9℃.薄膜在200,250,300和350℃下退火后的X射线衍射

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