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影响GaN基LED的外量子效率低下的主要因素是光子在半导体和空气界面处的全反射。根据实际芯片建立LED模型，利用蒙特卡罗方法进行光线追迹模拟，分析了光子的主要损耗对出光效率的影响。计算不同的表面粗化微元，微元尺寸及微元底角对LED光提取效率的影响；比较不同微元形成的光场分布。模拟显示：所设计最佳的表面粗化结构在理想状况下可以提高光提取效率3倍以上。