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采用RBS分析方法,研究了宽温区(LNT—400℃)下Xe~(2+)离子束诱导引起的金属/硅界面反应,得到多种硅化物单相或双相生长层,讨论了化学驱动力和辐射增强扩散效应。
300KeVXe^2＋离子束诱导的金属／硅界反应
【摘 要】
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采用RBS分析方法,研究了宽温区(LNT—400℃)下Xe~(2+)离子束诱导引起的金属/硅界面反应,得到多种硅化物单相或双相生长层,讨论了化学驱动力和辐射增强扩散效应。
【机 构】
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北京大学技术物理系,北京大学技术物理系,中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所清华大学物理系,北京,北京
【出 处】
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原子能科学技术
【发表日期】
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1990年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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