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通过对栅电流和栅电压漂移的测量，证明了均匀FN应力老化后栅氧化层中陷阱呈非均匀分布，不同厚度的栅氧化层产生SILKC的机制不尽相同，薄栅以陷阱辅助隧穿为主，类Pool-Frankel机制在厚二氧化硅栅中起主导作用。
MOSFET不同厚度薄栅老化中SILC的机制
【摘 要】
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通过对栅电流和栅电压漂移的测量，证明了均匀FN应力老化后栅氧化层中陷阱呈非均匀分布，不同厚度的栅氧化层产生SILKC的机制不尽相同，薄栅以陷阱辅助隧穿为主，类Pool-Frankel机制
【机 构】
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北京大学微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年4期
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