基于贝叶斯理论面波频散曲线随机反演

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面波频散曲线反演是获得地下横波速度结构的重要地球物理方法。常规基于迭代最小二乘等线性反演方法依赖于初始模型,且存在多极值、容易陷入局部最小、反演精度低等问题。基于贝叶斯理论的随机反演方法是一种可以融合先验信息的非线性反演方法,该方法无需人为给定初始模型,仅利用先验信息对模型进行随机采样,根据概率分布筛选接受合适的后验概率密度估计结果,可达到对细节信息的准确估计。本文针对瑞利面波频散曲线,提出了基于GPR数据先验资料约束的贝叶斯马尔科夫蒙特卡洛(MCMC)随机反演方法,通过随机改变模型参数并计算其频散曲线与
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运用激光拉曼光谱研究了450—1050℃退火处理对氧化镍中二阶磁振子散射的增强效应,同时分析了激光功率对氧化镍中二阶磁振子散射的影响.研究发现,退火处理可显著增强氧化镍中二阶磁振子散射,在450—1050℃范围内,退火温度越高,增强效应越明显,经过1050℃退火处理后二阶磁振子散射增强效应可达两个数量级以上.该显著增强效应与高温退火处理后氧化镍样品中镍缺陷的显著减少紧密相关,同时也与镍离子的晶格排列结构紧密相关.而且高温退火处理还可显著降低激光功率对氧化镍中二阶磁振子散射的影响.当退火温度较低时,氧化镍中
六方氮化硼(hexagonal boron nitride, h-BN)因其良好的润滑性和绝缘性,在微纳机电系统中有巨大的应用潜力.本文通过基底刻蚀的工艺,在SiO_2/Si基底上制备了微孔阵列,然后将h-BN转移到微孔基底上形成悬浮结构,利用原子力显微镜研究电场对悬浮h-BN摩擦特性的影响.结果表明:悬浮状态的h-BN的表面摩擦力小于有基底支撑的h-BN的表面摩擦力,原因是更大的面内拉伸削弱了褶皱效应.电场作用下,针尖与h-BN之间的静电相互作用增强,悬浮h-BN表面的摩擦力随偏压的增大而增大,且正偏压
碲烯是性质优异的新型二维半导体材料,研究缺陷碲烯的电子结构有助于理解载流子掺杂、散射等效应,对其在电子和光电器件中的应用有重要意义.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了常见点缺陷对单层β相碲烯电子结构和光学性质的影响,包括单空位、双空位及Stone Wales缺陷.研究发现,单层β相碲烯中单空位、双空位和Stone Wales缺陷的形成能在0.83—2.06 eV范围,低于石墨烯、硅烯、磷烯和砷烯中对应缺陷的形成能,说明实验上单层β相碲烯中容易形成点缺陷.点缺陷出现后,单层β相碲烯带隙宽度少有
CdS/CdMnTe异质结是具有集成分立光谱结构的叠层电池的“核芯”元件,是驱动第三代太阳能电池发展的核心引擎,其界面相互作用对大幅度提高太阳能电池的转换效率至关重要.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算构建CdS(002),CdMnTe(111)表面模型及Mn原子占据不同位置的CdS/CdMnTe异质结界面结构模型,分析CdS(002),CdMnTe(111)表面及异质结界面的电子性质和光学性质.晶格结构分析表明,CdS/CdMnTe异质结的晶格失配度约为3.5%,弛豫后原子位置与键长均在界面处
本文制备了硫系玻璃Ge11.5As24Se64.5-xSx(x=0,16.125%,32.25%,48.375%和64.5%)并研究了其光学性质,目的在于筛选可用于光学器件的最佳组分.通过测试该系列玻璃的激光损伤阈值、折射率、三阶非线性折射率以及吸收光谱,结果发现,玻璃中的Se被S原子逐渐替代后,玻璃的线性和三阶非线性折射率逐渐降低,玻璃光学带隙和激光损伤阈值不断升高.我们进一步利用拉曼散射光谱和高分辨率X射线光电子能
采用第一性原理在MP2/aug-cc-PVTZ水平下优化得到CH3NH3多聚体的几何构型,发现多聚体中CH3NH3沿C-N轴取向,多聚体随着CH3NH3数量增加有收缩趋势,这有利于无机框架的结构稳定,多聚体的总偶极矩随着CH3NH3数量线性增加,这导致了CH3NH3PbI3
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利用柔性电子技术对半导体材料性能调控研究具有重大的科学意义及应用价值.该研究一方面突破了传统应变工程中受限于无机材料硬而脆的特性,且引入应变多为固定值的局限;另一方面也为基于无机功能材料的可延展柔性电子器件在大变形环境下的性能评估提供了理论基础.因此,柔性电子技术为针对半导体材料或其他功能材料的应变调控提供了一种新方法,将有望应用在诸多需要材料性能周期性改变的新颖领域之中.本文将首先简介柔性无机电子技术,并对其中的两大关键技术:基于纳米金刚石颗粒的减薄及转印技术进行重点阐述,并探究两大关键技术对半导体电子
倾子对地下构造的电性不均匀性反映较灵敏,在大地电磁资料解释中可作为复杂构造的表征。本文在三维大地电磁有限元正演模拟的基础上,根据倾子定义推导出三维倾子计算公式,构建复杂异常体模型进行三维倾子正演模拟。研究表明针对多个异常体模型,倾子的各个分量均能反映出异常体的空间位置,倾子不仅能准确地反映出单个异常体的边界,且对多个异常体的边界反映也较准确,其中对低阻异常体反映较高阻异常体敏感,由此进一步了解了三维倾子资料特征和规律,为倾子资料的应用提供了理论依据。
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