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La2O3掺杂对SnO2基陶瓷显微结构与电阻率的影响
La2O3掺杂对SnO2基陶瓷显微结构与电阻率的影响
来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:nidayedejb
【摘 要】
:
以La2O3作掺杂剂,制备了La2O3掺杂的SnO2陶瓷。采用XRD、SEM以及其它测试手段对该陶瓷进行测试。结果表明:掺人适量的La2O3能够降低SnO2基陶瓷电阻率,促进SnO2晶相的形成和生长,
【作 者】
:
梅松柏
宁伟
汪庆卫
蒋守宏
【机 构】
:
东华大学材料科学与工程学院,先进玻璃制造技术教育部工程研究中心
【出 处】
:
人工晶体学报
【发表日期】
:
2009年4期
【关键词】
:
SnO2基陶瓷
氧化镧掺杂
电阻率
SnO2-based ceramic La2O3 doping resistivity
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以La2O3作掺杂剂,制备了La2O3掺杂的SnO2陶瓷。采用XRD、SEM以及其它测试手段对该陶瓷进行测试。结果表明:掺人适量的La2O3能够降低SnO2基陶瓷电阻率,促进SnO2晶相的形成和生长,对SnO2基陶瓷的致密化起到良好的作用。
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