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飞兆半导体的40V P沟道Power Trench MOSFET产品FDD4141，可将开关损耗减少一半。FDD4141具有低导通阻抗[RDS（ON）]，与目前的MOSFET比较能降低栅极电荷（QG）达50％，
飞兆半导体40VP沟道MOSFET新品
【摘 要】
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飞兆半导体的40V P沟道Power Trench MOSFET产品FDD4141，可将开关损耗减少一半。FDD4141具有低导通阻抗[RDS（ON）]，与目前的MOSFET比较能降低栅极电荷（QG）达50％，
【出 处】
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家电科技
【发表日期】
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2008年7期
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