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采用超声雾化热解法制备ZnO薄膜，对比分析了不同In含量的N-In共掺杂ZnO薄膜的显微结构，电学和光学性质。实验结果表明在N-In共掺杂条件下In的含量对ZnO薄膜的显微结构及性能有明显的影响。In的掺入使得ZnO中总体缺陷减少，晶粒外形更规则，C轴取向性更好。引入In能使ZnO更容易向P型转变；当前驱体溶液中In的比例〉0．03后，可以显著改善ZnO薄膜的电学性能和光学性能。