GaAs激光器峰值输出150瓦

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美帝标准电信实验室的多布森(C. D. Dobson)已成功地用砷化镓研制出一种半导体激光器,在77 °K(液氮温度)处运转时,峰值脉冲输出为150瓦,平均输出为1瓦。还克服了表面损坏的问题。
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