论文部分内容阅读
该文描述了碲化镉（CdTe）探测器，硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器（SiS）的设计与制作方法.这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的.与硅工艺不同的是，CdTe工艺必须在低于150 ℃的温度下完成.我们因此专门为CdTe探测器开发了一种低温原子层淀积的氧化铝（Al2O3）薄膜工艺，大小为（10×10×1） mm 3的CdTe晶圆由一种无接触的光刻工艺完成.探测器性能是由电流-电压（ I-V ），电容-电压（ C-V ）、瞬间电流方法和精