【摘 要】
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日本电电公社厚木研究所声称,他们试制成功了16K 位的砷化镓存储器,在每个芯片上集成了十万个元器件,从而展现了实现下一代 GaAsLSI 的光明前景。该研究所过去曾经试制成功1
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日本电电公社厚木研究所声称,他们试制成功了16K 位的砷化镓存储器,在每个芯片上集成了十万个元器件,从而展现了实现下一代 GaAsLSI 的光明前景。该研究所过去曾经试制成功1K 和4K 的砷化镓存储器,但还不能说晶体生长技术和微细加工技术都达到能充分满足大规模集成的要求。这次该研究所采用了最新开发的无缺陷 GaAs
The Atsugi Research Institute of Japan Electric Power Co., Ltd. claimed that they successfully prototyped 16K GaAs memory devices and integrated 100,000 components on each chip, demonstrating the bright future of implementing next-generation GaAs LSIs. The Institute had trial-produced 1K and 4K gallium arsenide memory in the past, but it cannot be said that the crystal growth technology and microfabrication technology can meet the requirements of large-scale integration. This time, the institute adopted the newly developed defect-free GaAs.
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