【摘 要】
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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108 Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流；另外,GaAs材料便于加工,可方便地
【机 构】
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昆明物理研究所,中国科学院合肥固体物理研究所
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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108 Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流；另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件.目前用于太赫兹探测的GaAs MESFET在国际上有了较大的发展,为了进一步研究MESFET的器件特性,参照国外现有的作为太赫兹探测的GaAsMESFET器件结构,通过建立器件结构模型,并进行掺杂、网格化后使用Synopsys器件模拟软件求解泊松方程,计算并分析了其电流电压特性.计算结果和实验测量结果比较吻合.
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