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在气体样品池条件下，用调频半导体激光器激发Rb原子至Rb（sPj）态，通过测量样品池前后光强比，得到不同温度下样品的吸收系数。对于Rb（5S1/2→5Pj）的跃迁，可获得g2／g1值和5Pj的寿命值（我们取j=1／2，即用D1线794nm计算），从而得出不同温度下样品的基态原子密度．实验结果表明：基态原子的密度N随着温度的升高而增大．通过与其它实验结果进行比较，得出在低温下的数据比较准确，可见利用光学吸收方法测量低激发态原子密度较为理想．