【摘 要】
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The interfacial Si nano-pyramid-enhanced electroluminescence (EL) of an ITO/SiOx/p-Si/Al metal-oxide-semiconductor (MOS) diode with turn-on voltage of 50 V, threshold current of 1.23 mA/cm2, output power of 16 nW, and lifetime of 10 h is reported.
【机 构】
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GraduateInstituteofPhotonicsandOptoelectronics,DepartmentofElectricalEngineering,NationalTaiwanUnive
【出 处】
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ChineseOpticsLetters
论文部分内容阅读
The interfacial Si nano-pyramid-enhanced electroluminescence (EL) of an ITO/SiOx/p-Si/Al metal-oxide-semiconductor (MOS) diode with turn-on voltage of 50 V, threshold current of 1.23 mA/cm2, output power of 16 nW, and lifetime of 10 h is reported.
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