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采用光学显微镜（OM），透射电镜（TEM）研究了近α型TG6钛合金在不同热处理状态下硅化物的沉淀析出行为。结果表明，硅化物优先在原始B片层上析出，同时，在有些α基体中也有硅化物的析出。硅化物呈现长杆状或椭球状，为六方结构的S2型（（TiZr）6Si3）硅化物，与α基体没有确定的取向关系。在透射电镜下可以看出，硅化物分布并不均匀。在600℃热暴露过程中，随着热暴露时间的延长，硅化物的数量增多尺寸增大。析出的硅化物与位错发生交互作用形成位错堆积，可以有效阻碍位错的滑移运动，提高合金强度。