多孔硅光致发光峰半峰全宽的压缩

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chaoyuemengxiang2009
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
硅发光对于在单一硅片上实现光电集成是至关重要的。目前已有的使硅产生发光的方法有:掺杂深能级杂质、掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格。声空化所引发的特殊的物理、化学环境为制备光致发光多孔硅薄膜提供了一条重要的途径。实验表明,声化学处理对于改善多孔硅的微结构,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术。超声波加强阳极电化学腐蚀制备发光多孔硅薄膜,比目前通用的常规方法制备的样品显示出更优良的性质。这种超声波的化学效应源于声空化,即腐蚀液中气泡的形成、生长和急剧崩溃。在多孔硅的腐蚀过程中,由于
其他文献
通过对GaP1-xNx混晶的瞬态发光特性的研究,揭示了在低组分下N杂质从NN;对束缚激子的特性逐渐向高组分下形成GaP1-xNx混晶的杂质带的演变.在较低组分下,样品的发光由NN对束缚
不同的制备工艺对ZnO薄膜的微结构和性能有很大的影响,为了得到成本较低,样品具有较好特性的实验方法,对于制备手段进行了探索。使用PVA溶胶-凝胶法制备了Zn0.88Co0.12O薄膜,研究
利用溶胶-凝胶法,通过直接掺杂Mn2+获得白光发射且操作工艺简单的纳米ZnS:Mn荧光粉,使用XRD、UV、PL及FT-IR等方法研究了ZnS:Mn纳米微粒的粒径、结构及荧光特性.结果表明:ZnS
用SnO和Zn的均匀混合物在高温下共烧通过VLS机制制备出孪晶ZnO纳米线的均匀结构。SEM图像显示孪晶ZnO纳米线的直径在100~200nm之间,长度在几十微米到几百微米之间的范围内,有的
<正>~~
期刊
用硝酸锌Zn(NO3)2&#183;4 H2O和六亚甲基四胺(CH2)6N4,通过化学溶液法在玻璃衬底上生长出ZnO六角形亚微米和微米棒(长5~6μm,直径0.8~5 μm).生长时间达两天后,ZnO棒呈中空六角
采用磁约束电感耦合等离子体增强溅射法(ICP—PVD)在Si(100)和石英玻璃衬底上沉积了Zn0.95Co0.05O薄膜。XRD谱显示薄膜具有较强的(002)衍射峰,表明Zn0.95Co0.05O薄膜为c轴择优取向生
根据第5届全国稀土发光材料学术研讨会议的决定:第6届全国稀土发光材料学术研讨会将由中国稀土学会发光专业委员会和中国物理学会发光分会联合主办,由南昌大学承办。
制备一系列锗酸锌锰荧光体,并探讨其发光特性、瞬态荧光衰减与色度值与所掺杂锰离子含量之间的相互关系.本系列荧光体锰离子发射峰波长,随M2+含量由0增加0.05,由527 nm红移至
<正>~~
期刊