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本文用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:Ce^3+的非晶薄膜。这些薄膜的光致发光峰是在370nm到405nm范围内,它们来自于Ce^3+的5d^1激发态向基态4f^1,的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈的依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度。Ce^3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的。薄膜发光是来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce^3+。随铈含量增加5d与4f之间的能量差减小,导致随铈含量增加光致发光峰向低能方向的移动。薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析。俄