Recent Advances in Strain-Induced Piezoelectric and Piezoresistive Effect-Engineered 2D Semiconducto

来源 :纳微快报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：whimco1984

【摘要】

：

The development of two-dimensional(2D)semiconductors has attracted widespread attentions in the scientific community and industry due to their ultra-thin thickn

【作者】

：

Feng Li Tao Shen Cong Wang Yup

【机构】

：

InstituteofMicroscaleOptoelectronics,SchoolofMaterialsScienceandEngineering

【出处】

：

纳微快报:英文版

【发表日期】

：

2020年8期

【关键词】

：

2D semiconductors STRAIN Piezoelectric effect Piezoresistive effect Electronic a

【基金项目】

：

supported by the National Natural Science Foundation of China(51572025,51627801,61435010 and 51702219),the State Key Research Development Program of China(2019YFB2203503),Guangdong Basic and Applied B

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The development of two-dimensional(2D)semiconductors has attracted widespread attentions in the scientific community and industry due to their ultra-thin thickness,unique structure,excellent optoelectronic properties and novel physics.The excellent flexib

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