【摘 要】
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针对当前NAND Flash存储结构的特性,提出一种纠错能力较强的ECC校验电路结构,设计一种高效并行的BCH编译码器的电路,在关键方程计算过程中采用了无求逆的BM算法,避免了迭代过
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针对当前NAND Flash存储结构的特性,提出一种纠错能力较强的ECC校验电路结构,设计一种高效并行的BCH编译码器的电路,在关键方程计算过程中采用了无求逆的BM算法,避免了迭代过程中的有限域求逆运算。通过流水线技术与乒乓操作技术,实现以较小的硬件资源开销提高纠错电路的数据吞吐性能。该ECC纠错电路在Xilinx Vivado上进行仿真,并测试分析。通过测试可以发现,在相同的系统时钟频率下,该ECC纠错电路的数据吞吐率是典型串行纠错电路的8倍,并且通过两级流水线的译码方式,使得译码速度得到大幅度提升,很好地提高了译码效率,同时纠错能力能够满足当前NAND Flash技术的要求;与传统的NAND flash纠错电路相比,该纠错电路结构可移植性强,并且灵活性较强,通过调整BCH码的校验位数目,即可满足不同的纠错要求。
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