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采用磁控溅射和离子源复合沉积技术,在Si片、模具钢和硬质合金上制备了均匀致密的含氢掺硅类金刚石薄膜。先用正交法优化含氢类金刚石薄膜的制备工艺，然后通过控制中频碳化硅靶的功率密度向含氢类金刚石膜层中成功掺入Si元素。采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱仪（XPS）、X射线衍射仪（XRD）、硬度计、划痕仪和摩擦磨损试验机等手段测试和研究了膜层的形貌、成分、sp3和sp2含量及其性能。结果表明： 优化后含氢类金刚石薄膜的制备工艺为：30 mL/min甲烷流量，100 V偏压，0.8 A离子源电流；所制