沉积气压对氮化硼薄膜场发射特性的影响

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利用等离子体增强脉冲激光沉积系统,在n型Si(100)基底上沉积了不同沉积气压下的纳米BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)对BN薄膜进行了表征。通过原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌。在超高真空(〈5.0×10^-7Pa)情况下测量了薄膜的场致发射特性。实验结果表明,沉积气压对BN薄膜的场发射特性影响很大。BN薄膜的阈值电场随着沉积气压的升高而升高,发射极限电流随着沉积气压的升高而较小,但耐压特性提高。沉积气压为2Pa时沉积的BN薄膜的场发射的阈值电场最低,为12V/um,当电场升高到27
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