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综述了自旋电子学的一些新进展,重点介绍了自旋极化的光学注入、弛豫机制和光学探测等方面的内容,并涉及到与自旋有关的自旋霍尔效应(SHE)和纯自旋流等物理效应。
半导体材料中自旋极化的光学注入与探测
【摘 要】
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综述了自旋电子学的一些新进展,重点介绍了自旋极化的光学注入、弛豫机制和光学探测等方面的内容,并涉及到与自旋有关的自旋霍尔效应(SHE)和纯自旋流等物理效应。
【机 构】
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北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室; 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京100871; 北京100871;
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国家重大科学研究计划项目(2006CB921601)资助课题
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